因應第三類半導體如火如荼開展，高功率、高電能損枆及效率等議題在節能扮演至關重要的角色；其應用場景廣泛，涵蓋馬達、Data Center、白色家電，乃至全球聚焦的電動車議題。

寬能隙半導體（Wideband Gap Semicocustors）中，碳化矽半導體（SiC）功率元件隨著電源的開關速率提高，雙脈衝測試 （Double-Pulse Testing）亦備受矚目，此測試方式利用巧妙的電路結構檢測功率器件的瞬態開關特性、吸收電路設計、短路特性…等的實際表現，同時適用於MOSFET及IGBT之量測。

本次研討會將聚焦於寬能隙半導體之虛擬設計、驗證深入解析，亦提供規劃雙脈衝測試時不可忽視的測量細節。